Amin'izao fotoana izao amin'ny fampiasa matetika mahery vaikaMOSFEThampiditra fohifohy ny fitsipi-piasany. Jereo ny fomba ahatsapany ny asany manokana.
Metal-Oxide-Semiconductor izany hoe, Metal-Oxide-Semiconductor, marina, io anarana io dia mamaritra ny firafitry ny MOSFET ao amin'ny faritra mitambatra, izany hoe: amin'ny rafitra sasany ny fitaovana semiconductor, miaraka amin'ny silisiôma gazy sy metaly, ny fananganana. ny vavahady.
Ny loharano sy ny tatatra MOSFET dia mifanohitra, samy faritra N-karazana miforona ao anaty vavahady P-karazana. Amin'ny ankamaroan'ny toe-javatra dia mitovy ny faritra roa, na dia tsy hisy fiantraikany amin'ny fahombiazan'ny fitaovana aza ny tendrony roa amin'ny fanitsiana, ny fitaovana toy izany dia heverina ho asymmetrika.
Fanasokajiana: araka ny karazana fitaovana fantsona sy ny vavahady insulated karazana tsirairay N-fantsona sy P-fantsona roa; araka ny fomba conductive: MOSFET mizara ho depletion sy enhancement, ka MOSFET mizara ho N-channel depletion sy enhancement; Ny fihenan'ny P-channel sy ny fanatsarana ny sokajy efatra lehibe.
MOSFET fitsipiky ny fandidiana - ny rafitra toetra mampiavaka nyMOSFETmitondra polarity iray ihany izy (polys) tafiditra ao amin'ny conductive, dia transistor unipolar. Ny mekanika fitarihana dia mitovy amin'ny MOSFET ambany, fa ny rafitra dia manana fahasamihafana lehibe, MOSFET ambany hery dia fitaovana fampitaovana marindrano, ny ankamaroan'ny rafi-pandrefesana mitsangana MOSFET, fantatra amin'ny anarana hoe VMOSFET, izay manatsara ny MOSFET. ny herin'ny fitaovana sy ny hery mahatohitra ny ankehitriny. Ny endri-javatra lehibe indrindra dia ny fisian'ny sosona silica insulation eo anelanelan'ny vavahady metaly sy ny fantsona, ary noho izany dia manana fanoherana avo lenta, ny fantsona dia mitarika amin'ny fifantohana avo roa amin'ny faritra n diffusion mba hamoronana fantsona conductive n-karazana. MOSFET fanatsarana n-fantsona dia tsy maintsy ampiharina amin'ny vavahady miaraka amin'ny fitongilanana mandroso, ary rehefa lehibe kokoa noho ny voltase tokonam-baravarana ny fantsona conductive novokarin'ny MOSFET ny fantsona loharanon'ny vavahady. Ny MOSFET karazana fahapotehan'ny n-channel dia MOSFETs-n-channel izay miteraka fantsom-pitaterana rehefa tsy misy voltase vavahady ampiharina (aotra ny voltora loharano vavahady).
Ny fitsipiky ny fiasan'ny MOSFET dia ny fanaraha-maso ny habetsahan'ny "induced charge" amin'ny alalan'ny fampiasana VGS hanova ny toetry ny conductive fantsona noforonin'ny "induced fiampangana", ary avy eo mba hahatratra ny tanjona ny fanaraha-maso ny tatatra ankehitriny. Ao amin'ny fanamboarana ny fantsona, amin'ny alalan'ny dingan'ny insulation sosona ao amin'ny firongatry ny be dia be ny tsara ion, ka amin'ny lafiny iray hafa ny interface tsara azo voataona fiampangana ratsy kokoa, ireo fiampangana ratsy ho amin'ny fidiran'ny avo ny loto ao amin'ny N. faritra mifandray amin'ny fananganana ny conductive fantsona, na dia ao amin'ny VGS = 0 misy ihany koa ny leakage lehibe ID ankehitriny. rehefa niova ny vavahady malefaka, ny habetsahan'ny fiampangana induced ao amin'ny fantsona dia niova ihany koa, ary ny conductive fantsona sakan'ny sy narrowness ny fantsona sy ny fiovana, ary dia toy izany no leakage ID amin'izao fotoana izao amin'ny vavahady malefaka. Ny ID amin'izao fotoana izao dia miovaova amin'ny voltase vavahady.
Ankehitriny ny fampiharana nyMOSFETdia nanatsara be ny fianaran'ny olona, ny fahombiazan'ny asa, ary ny fanatsarana ny fiainantsika. Manana fahatakarana mirindra kokoa momba izany isika amin'ny alalan'ny fahatakarana tsotra. Tsy vitan'ny hoe ampiasaina ho fitaovana, fahatakarana bebe kokoa ny toetrany, ny fitsipiky ny asa, izay hanome antsika fahafinaretana be ihany koa.
Fotoana fandefasana: Apr-18-2024
