MOSFET Selection | Fitsipika fananganana MOSFET N-Channel

Metal-Oxide-SemIConductor firafitry ny kristaly transistor mahazatra fantatra amin'ny anarana hoeMOSFET, izay mizara ho MOSFET karazana P sy MOSFET karazana N. Ny circuits mitambatra ahitana MOSFET dia antsoina koa hoe MOSFET integrated circuits, ary ny MOSFET Integrated circuits mifandray akaiky dia ahitana PMOSFET syNMOSFETs dia antsoina hoe CMOSFET Integrated circuits.

Sarimihetsika boribory MOSFET N-Channel 1

MOSFET ahitana substrate p-karazana sy faritra roa miparitaka n manana sanda avo lenta dia antsoina hoe fantsona n.MOSFET, ary ny fantsona conductive ateraky ny fantsona conductive karazana n dia vokatry ny lalan'ny n-miparitaka amin'ny lalana roa miparitaka n manana sanda avo lenta rehefa mandeha ny fantsona. Ny MOSFET matevina amin'ny n-channel dia manana ny fantsonan-n vokatry ny fantsona conductive rehefa atsangana araka izay azo atao eo amin'ny vavahady ny fitongilanana mitongilana tsara ary raha tsy mila voltase miasa mihoatra ny voltase ny tokonam-baravarana ny fiasan'ny loharanon'ny vavahady. N-channel depletion MOSFETs dia ireo izay tsy vonona amin'ny vavahady malefaka (ny vavahady loharanon-karena dia mitaky ny miasa malefaka ny zero). MOSFET ny fahatapahan'ny hazavana n-channel dia MOSFET n-channel izay mahatonga ny fantsona conductive rehefa tsy voaomana ny vavahadin'ny vavahady (aotra ny fepetra fiasan'ny vavahady).

NMOSFET Integrated circuits dia N-channel MOSFET power supply circuit, NMOSFET Integrated circuits, ny fanoherana ny fidirana dia avo be, ny ankamaroany dia tsy mila mandevona ny fikorianan'ny herinaratra, ary noho izany ny CMOSFET sy ny NMOSFET Integrated circuits mifandray tsy mila miditra ao. kaontinao ny enta-mavesatry ny fikorianan'ny herinaratra.NMOSFET Integrated circuits, ny ankamaroan'ny fifantenana ny vondrona tokana tsara switching power supply circuit circuits famatsiana herinaratra Ny ankamaroan'ny Ny circuit integrated NMOSFET dia mampiasa circuit famatsiana herinaratra mandeha tsara tokana, ary mankany amin'ny 9V ho an'ny bebe kokoa. CMOSFET Integrated circuits dia mila mampiasa ny switching power supply circuit circuit famatsiana herinaratra ihany tahaka ny NMOSFET integrated circuits, dia azo ampifandraisina amin'ny NMOSFET integrated circuits avy hatrany. Na izany aza, avy amin'ny NMOSFET mankany CMOSFET mifandray avy hatrany, satria ny NMOSFET Output pull-up fanoherana dia kely noho ny CMOSFET Integrated circuit keyed fisintonana fanoherana, koa miezaha hampihatra ny mety ho fahasamihafana pull-up resistor R, ny sandan'ny ny resistor R dia amin'ny ankapobeny 2 hatramin'ny 100KΩ.

Fananganana MOSFET matevina N-channel
Ao amin'ny substrate silisiôma P-karazana misy sandan'ny fatran'ny doping ambany, dia natao ny faritra N roa manana sanda avo lenta amin'ny doping, ary ny electrodes roa dia alaina avy amin'ny metaly aluminium ho toy ny tatatra d sy ny loharano s, tsirairay avy.

Avy eo ao amin`ny singa semiconductor ambonin`ny masking tena manify sosona silica insulating fantsona, ao amin`ny tatatra - loharano insulating fantsona eo amin`ny tatatra sy ny loharanon`ny aluminium electrode hafa, toy ny vavahady g.

Ao amin'ny substrate koa dia mitarika ny electrode B, izay misy MOSFET matevina N-channel. Ny loharanon'ny MOSFET sy ny substrate dia mifandray amin'ny ankapobeny, ny ankamaroan'ny sodina ao amin'ny orinasa dia efa ela no nifandray taminy, ny vavahady sy ny electrodes hafa dia insulated eo anelanelan'ny casing.