Ahoana ny fisafidianana tsara MOSFETs malefaka kely

Ny fifantenana MOSFET malefaka kely dia ampahany manan-danja amin'nyMOSFETNy fifantenana dia tsy tsara dia mety hisy fiantraikany amin'ny fahombiazana sy ny vidin'ny faritra manontolo, fa koa hitondra olana maro ho an'ny injeniera, ny fomba hifidianana tsara ny MOSFET?

Fisafidianana N-channel na P-channel Ny dingana voalohany amin'ny fisafidianana ny fitaovana mety ho an'ny famolavolana dia ny manapa-kevitra raha hampiasa MOSFET N-channel na P-channel Amin'ny fampiharana herinaratra mahazatra, ny MOSFET dia mamorona tsipika ambany ambany rehefa ny MOSFET dia miorim-paka ary ny enta-mavesatra dia mifandray amin'ny volkano. Amin'ny sisiny malefaka malefaka, ny MOSFET N-channel dia tokony hampiasaina noho ny fiheverana ny voltase ilaina mba hamonoana na hamonoana ny fitaovana.

Rehefa mifandray amin'ny fiara fitateram-bahoaka ny MOSFET ary mipetaka amin'ny tany ny entana, dia tokony hampiasaina ny fametahana sisiny malefaka. Ny MOSFETs P-channel dia matetika ampiasaina amin'ity topolojia ity, ho an'ny fiheverana ny fiara. Farito ny naoty ankehitriny. Safidio ny naoty amin'izao fotoana izao amin'ny MOSFET. Miankina amin'ny firafitry ny fizaran-tany, io naoty amin'izao fotoana izao dia tokony ho ny cour ambony indrindra azon'ny enta-mavesany amin'ny toe-javatra rehetra.

Mitovy amin'ny trangan'ny voltage, ny mpamorona dia tsy maintsy miantoka fa ny voafantinaMOSFETafaka mahatohitra an'io naoty amin'izao fotoana izao, na dia miteraka rivodoza aza ny rafitra. Ny tranga roa hodinihina amin'izao fotoana izao dia ny fomba mitohy sy ny pulso spikes. Amin'ny fomba fampitaovana mitohy, ny MOSFET dia ao anatin'ny toe-javatra tsy miova, rehefa mandalo tsy an-kijanona amin'ny fitaovana ny ankehitriny.

Ny pulse spikes dia rehefa misy fisondrotana lehibe (na spikes of current) mikoriana amin'ny fitaovana. Rehefa voafaritra ny courant faratampony ao anatin'ireo fepetra ireo, dia ny fifantenana mivantana ny fitaovana mahazaka io courant ambony indrindra io. Famaritana ny fepetra takian'ny Thermal Ny fisafidianana MOSFET dia mitaky koa ny kajy ny fepetra takian'ny rafitra. Ny mpamorona dia tsy maintsy mandinika toe-javatra roa samy hafa, ny tranga ratsy indrindra sy ny tranga marina. Amporisihina ny hampiasana ny kajy amin'ny tranga ratsy indrindra satria manome marin'ny fiarovana lehibe kokoa izany ary miantoka fa tsy hahomby ny rafitra. Misy ihany koa ny fandrefesana tokony ho fantatra ao amin'ny takelaka data MOSFET; toy ny fanoherana mafana eo amin'ny fihaonan'ny semiconductor ny fitaovana fonosana sy ny tontolo iainana, ary ny mari-pana ambony indrindra. Rehefa manapa-kevitra amin'ny fampandehanana ny fampandehanana, ny dingana farany amin'ny fisafidianana MOSFET dia ny manapa-kevitra amin'ny fampandehanana ny fampandehanana nyMOSFET.

Betsaka ny masontsivana izay misy fiantraikany amin'ny fampandehanana ny fanovana, fa ny tena zava-dehibe dia ny vavahady / tatatra, vavahady / loharano, ary capacitance drain / loharano. Ireo capacitance ireo dia miteraka fatiantoka eo amin'ny fitaovana satria tsy maintsy ampangaina izy ireo mandritra ny fifandimbiasana tsirairay. dia mihena ny hafainganam-pandehan'ny MOSFET ary mihena ny fahombiazan'ny fitaovana. Mba kajy ny totalin'ny fatiantoka fitaovana mandritra ny fifandimbiasana, ny mpamorona dia tsy maintsy manao kajy ny fatiantoka mihodina (Eon) sy ny fatiantoka mivadika.

Rehefa kely ny sandan'ny vGS dia tsy matanjaka ny fahafahana mandray elektrôna, leakage - loharano eo anelanelan'ny fantsona tsy misy conductive, mitombo ny vGS, miditra ao amin'ny soson'ny elektronika P substrate ivelany amin'ny fitomboana, rehefa tonga ny vGS. sanda sasany, ireo elektrôna ao amin'ny vavahady akaikin'ny endrika P substrate dia ahitana sosona manify ny N-karazana, ary miaraka amin'ny roa N + faritra mifandray Rehefa tonga ny vGS sanda iray, ireo elektrôna eo amin'ny vavahady akaikin'ny P substrate. Ny endrika dia ho endrika N-karazana manify, ary mifandray amin'ny faritra roa N +, ao amin'ny tatatra - loharano dia N-karazana conductive fantsona, ny conductive karazana sy ny mifanohitra amin'ny P substrate, mandrafitra ny anti-karazana sosona. Ny vGS dia lehibe kokoa, ny anjara asan'ny semiconductor endrika ny matanjaka kokoa ny herinaratra saha, ny hisakana ny fiasan'ireny ny elektrôna ho any ivelany ny substrate P, vao mainka ny conductive fantsona dia matevina, ny ambany ny fantsona fanoherana. Izany hoe, N-fantsona MOSFET ao amin'ny vGS <VT, tsy afaka mahaforona fantsona conductive, ny fantsona dia ao amin'ny fanjakana cutoff. Raha vantany vao vGS ≥ VT, raha tsy misy ny famoronana fantsona. Aorian'ny fametrahana ny fantsona, dia avoaka ny komandin'ny tatatra amin'ny alàlan'ny fampidirana voltase mandroso vDS eo anelanelan'ny loharano - loharano.

Fa ny Vgs dia mitombo hatrany, andao atao hoe IRFPS40N60KVgs = 100V rehefa Vds = 0 sy Vds = 400V, fepetra roa, ny tube miasa mba hitondra inona, raha may, ny antony sy ny anatiny mekanisma ny dingana dia ny fomba hampitombo ny Vgs dia mihena. Ny Rds (on) dia mampihena ny fatiantoka mifamadika, fa amin'ny fotoana iray ihany dia hampitombo ny Qg, ka ny fahaverezan'ny fihodinana dia lasa lehibe kokoa, misy fiantraikany ny fahombiazan'ny MOSFET GS malefaka amin'ny Vgg mankany Cgs fiampangana sy fiakarana, tonga amin'ny fikojakojana malefaka Vth, MOSFET manomboka conductive; MOSFET DS mitombo amin'izao fotoana izao, Millier capacitance amin'ny elanelam-potoana noho ny famoahana ny DS capacitance sy ny fivoahana, GS capacitance mamaly dia tsy misy fiantraikany be; Qg = Cgs * Vgs, fa mbola hiakatra hatrany ny fiampangana.

Ny tanjaky ny DS an'ny MOSFET dia midina amin'ny voltase mitovy amin'ny Vgs, ny capacitance Millier dia mitombo be, ny voltase ivelany ivelany dia mijanona amin'ny fiampangana ny capacitance Millier, ny voltase amin'ny capacitance GS dia tsy miova, ny voltase amin'ny capacitance Millier dia mitombo, raha toa kosa ny voltase. amin'ny DS capacitance dia mitohy mihena; ny DS voltage an'ny MOSFET dia mihena amin'ny voltase amin'ny conduction saturated, ny capacitance Millier dia lasa kely Ny DS voltage an'ny MOSFET dia midina amin'ny voltage amin'ny conduction saturation, ny Millier capacitance dia mihakely ary miaraka amin'ny GS capacitance avy amin'ny fiara ivelany malefaka, ary ny voltase amin'ny GS capacitance miakatra; Ny fantsona fandrefesana malefaka dia ny andiany 3D01, 4D01, ary 3SK an'ny Nissan.

G-pole (vavahady) fanapahan-kevitra: mampiasa ny diode fitaovana ny multimeter. Raha lehibe kokoa noho ny 2V ny tongotra iray sy ny tongotra roa hafa eo anelanelan'ny fianjerana malefaka sy ratsy dia lehibe noho ny 2V, izany hoe ny fampisehoana "1", io tongotra io dia ny vavahady G. Ary avy eo dia manakalo ny penina mba handrefesana ny sisa amin'ny tongotra roa, kely ny fidinan'ny voltage tamin'io fotoana io, ny pen mainty dia mifandray amin'ny D-pole (drain), ny pen mena dia mifandray amin'ny S-pole (loharano).