Ahoana ny fiasan'ny MOSFET

Ny fitsipiky ny fiasan'ny MOSFET dia mifototra indrindra amin'ny fananana ara-drafitra tsy manam-paharoa sy ny fiantraikan'ny saha elektrika. Ity manaraka ity dia fanazavana amin'ny antsipiriany momba ny fomba fiasan'ny MOSFET:

I. Rafitra fototra amin'ny MOSFET

Ny MOSFET dia ahitana vavahady (G), loharano (S), tatatra (D), ary substrate (B, indraindray mifandray amin'ny loharano mba hamorona fitaovana telo-terminal). Ao amin'ny MOSFET fampitomboana ny fantsona N, ny substrate dia matetika fitaovana silisiôna P-karazana ambany doped izay misy faritra roa misy doped N-karazana namboarina ho loharano sy tatatra. Ny endrik'ilay substrate P-karazana dia rakotra sarimihetsika oksidena manify (dioxide silisiôma) ho toy ny sosona manara-penitra, ary misy electrode voasintona ho vavahady. Ity rafitra ity dia mahatonga ny vavahady voatokana avy amin'ny substrate semiconductor P-karazana, ny tatatra ary ny loharano, ary noho izany dia antsoina koa hoe fantsona misy fiantraikany amin'ny vavahady.

II. Fitsipiky ny fandidiana

MOSFETs miasa amin'ny alalan'ny fampiasana ny vavahady loharano malefaka (VGS) mba hifehy ny tatatra ankehitriny (ID). Amin'ny ankapobeny, rehefa lehibe noho ny aotra ny vongan-tsarimihetsika loharanon'ny vavahady tsara, VGS, dia hiseho eo amin'ny sosona oxide eo ambanin'ny vavahady ny saha elektrika ambony ambony sy ambany. Misarika elektrôna maimaim-poana ao amin'ny faritra P io saha elektrika io, ka mahatonga azy ireo hiangona eo ambanin'ny sosona oksizenina, sady mandroaka ny lavaka ao amin'ny faritra P. Rehefa mitombo ny VGS dia mitombo ny tanjaky ny sehatry ny herinaratra ary mitombo ny fifantohana amin'ny elektronika maimaim-poana. Rehefa tonga amin'ny VT ny VGS, dia lehibe ny fifantohan'ny elektrôna maimaim-poana miangona ao amin'ny faritra mba hamoronana faritra N-karazana vaovao (N-channel), izay miasa toy ny tetezana mampifandray ny tatatra sy ny loharano. Amin'izao fotoana izao, raha misy voltase mitondra fiara (VDS) eo anelanelan'ny tatatra sy ny loharano, dia manomboka mikoriana ny ID ankehitriny.

III. Famoronana sy fanovana fantsona fitarihana

Ny fananganana ny fantsona fitarihana no fanalahidin'ny fiasan'ny MOSFET. Rehefa lehibe kokoa noho ny VT ny VGS, dia miorina ny fantsona fitarihana ary misy fiantraikany amin'ny VGS sy VDS ny ID ankehitriny. Zava-dehibe ny manamarika fa raha tsy miorina ny fantsona fitarihana (izany hoe, VGS dia latsaky ny VT), na dia misy aza ny VDS dia tsy miseho ny ID ankehitriny.

IV. Toetran'ny MOSFET

Impedance fampidirana avo:Ny impedance fampidirana ny MOSFET dia tena avo, akaikin'ny infinity, satria misy sosona insulating eo anelanelan'ny vavahady sy ny loharano-drain faritra ary ny vavahady malemy ankehitriny.

Ambany Output Impedance:MOSFET dia fitaovana fehezin'ny bolts izay ahafahan'ny loharano-drain'ny riandrano hiova miaraka amin'ny voltase fampidirana, noho izany dia kely ny impedance azy.

Mikoriana tsy tapaka:Rehefa miasa ao amin'ny faritra saturation, ny MOSFET amin'izao fotoana izao dia saika tsy misy fiantraikany amin'ny fiovan'ny volavolan-tsolika loharano, manome courant tsy tapaka.

Toerana tsara:Ny MOSFET dia manana mari-pana miasa midadasika manomboka amin'ny -55°C ka hatramin'ny +150°C eo ho eo.

V. Fampiharana sy fanasokajiana

MOSFETs dia be mpampiasa amin'ny faritra nomerika, analogue circuits, herinaratra faritra sy ny saha hafa. Araka ny karazana fandidiana, MOSFETs azo sokajiana ho enhancement sy depletion karazana; Araka ny karazana fantsona fitarihana, dia azo sokajiana ho N-channel sy P-channel izy ireo. Ireo karazana MOSFET samihafa ireo dia manana tombony manokana amin'ny sehatra fampiharana samihafa.

Raha fintinina, ny fitsipiky ny fiasan'ny MOSFET dia ny fanaraha-maso ny fananganana sy ny fiovan'ny fantsona mitondra amin'ny alàlan'ny fantsom-bolan'ny vavahady, izay mifehy ny fikorianan'ny tatatra. Ny tsy fahampian'ny fidirana avo, ny tsy fahampian'ny fivoahana ambany, ny tsy tapaka amin'izao fotoana izao ary ny fahamarinan'ny mari-pana dia mahatonga ny MOSFET ho singa manan-danja amin'ny faritra elektronika.