Ny fizotran'ny fitiliana MOSFET

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, ny vavahady mampifandray amin'ny bron van de weerstand verwijderd, ny multimeter nivezivezy ao amin'ny zwarte pennen zal niet veranderen, ary ny toerana misy ny lekkage weerstand na ny metatra bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, ary is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen is er geen problem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen problem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick marking moet geen grote armen;

4, nihaona tamin'ny 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit the moment de waarde van de meterpaal marking het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op base van deze weerstand a an de MOSFET gate batterij opladen, what resulteert in the gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in the geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron dobo pass, zodat de digitale multimeter hoe dobo filomanosana fitongilanana de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.