Fantatrao ve ny fivoaran'ny MOSFET?

I. Hevitra sy fikarohana tany am-boalohany

Hevitra naroso:Ny famoronana ny MOSFET dia azo trandrahana hatrany amin'ny taona 1830, rehefa nampidirin'ny German Lilienfeld ny foto-kevitry ny transistor vokatry ny saha. Na izany aza, ny fanandramana nandritra io vanim-potoana io dia tsy nahomby tamin'ny fanatanterahana MOSFET azo ampiharina.

Fianarana mialoha:Avy eo, ny Bell Labs an'ny Shaw Teki (Shockley) sy ny hafa koa dia nanandrana nandalina ny famoronana fantsona vokatry ny saha, saingy tsy nahomby izany. Na izany aza, ny fikarohana nataon'izy ireo dia nametraka ny fototry ny fivoaran'ny MOSFET taty aoriana.

II. Ny fahaterahana sy ny fivoaran'ny MOSFET voalohany

Fahombiazana lehibe:Tamin'ny 1960, Kahng sy Atalla no namorona tsy nahy ny MOS field effect transistor (MOS transistor ho fohy) amin'ny dingan'ny fanatsarana ny fahombiazan'ny transistor bipolar miaraka amin'ny dioxide silisiôma (SiO2). Ity famoronana ity dia nanamarika ny fidiran'ny MOSFET amin'ny fomba ofisialy ao amin'ny indostrian'ny famokarana circuit integrated.

Fanatsarana ny fampisehoana:Miaraka amin'ny fivoaran'ny teknolojia fanodinana semiconductor, ny fahombiazan'ny MOSFET dia mitohy mihatsara. Ohatra, mety hahatratra 1000V ny taham-pahavitrihana miasa amin'ny herin'ny MOS avo lenta, ny sandan'ny fanoherana ny MOS ambany amin'ny fanoherana dia 1 ohm ihany, ary ny faharetan'ny asa dia manomboka amin'ny DC ka hatramin'ny megahertz maromaro.

III. Fampiharana betsaka ny MOSFET sy ny fanavaozana ara-teknolojia

Ampiasaina betsaka:Ny MOSFET dia ampiasaina betsaka amin'ny fitaovana elektronika isan-karazany, toy ny microprocessors, fahatsiarovana, circuit logic, sns., Noho ny fahombiazany tsara. Amin'ny fitaovana elektronika maoderina, MOSFET dia iray amin'ireo singa tena ilaina.

Teknolojia fanavaozana:Mba hamenoana ny fepetra takian'ny fatran'ny fampandehanana avo kokoa sy ny haavon'ny herin'aratra, ny IR dia namolavola ny MOSFET voalohany. taorian'izay, dia nisy karazana fitaovana vaovao maro nampidirina, toy ny IGBT, GTO, IPM, sns., ary efa nampiasaina bebe kokoa amin'ny sehatra mifandraika amin'izany.

Fanavaozana ara-materialy:Miaraka amin'ny fandrosoan'ny teknôlôjia, ny fitaovana vaovao dia trandrahana amin'ny fanamboarana MOSFET; ohatra, ny fitaovana silisiôna carbide (SiC) dia manomboka mahazo ny saina sy ny fikarohana noho ny fananana ara-batana ambony. Ny fitaovana SiC dia manana conductivity mafana kokoa sy fandrarana bandwidth raha oharina amin'ny fitaovana Si mahazatra, izay mamaritra ny toetrany tsara indrindra toy ny hakitroky amin'izao fotoana izao, avo. fahapotehan'ny tanjaky ny saha, ary ny mari-pana miasa ambony.

Fahefatra, MOSFET ny teknolojia farany indrindra sy ny fitarihana fampandrosoana

Transistor vavahady roa:Teknika isan-karazany no ezahina hanaovana transistor vavahady roa mba hanatsarana bebe kokoa ny fahombiazan'ny MOSFET. Ny transistors MOS vavahady roa dia manana fihenam-bidy tsara kokoa raha oharina amin'ny vavahady tokana, saingy mbola voafetra ihany ny fihenany.

Vokatry ny hady fohy:Ny fitarihana fampandrosoana manan-danja ho an'ny MOSFET dia ny famahana ny olan'ny vokatry ny fantsona fohy. Ny fiantraikan'ny fantsona fohy dia hametra ny fanatsarana bebe kokoa ny fahombiazan'ny fitaovana, noho izany dia ilaina ny mandresy ity olana ity amin'ny fampihenana ny halalin'ny fihaonan'ny loharano sy ny faritra tatatra, ary ny fanoloana ny loharano sy ny tatatra PN junctions amin'ny fifandraisana metaly semiconductor.