WSD40120DN56 N-fantsona 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Products

WSD40120DN56 N-fantsona 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

famaritana fohy:

Laharan'ny ampahany:Sary WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1,85mΩ 

Channel:N-fantsona

Package:DFN5X6-8


Product Detail

Fampiharana

Tags vokatra

Vidin'ny WINSOK MOSFET

Ny malefaka WSD40120DN56 MOSFET dia 40V, ny ankehitriny dia 120A, ny fanoherana dia 1.85mΩ, ny fantsona dia N-fantsona, ary ny fonosana dia DFN5X6-8.

Faritra fampiharana WINSOK MOSFET

MOSFET sigara elektronika, MOSFET fiampangana tsy misy tariby, MOSFET drôna, MOSFET fitsaboana, MOSFET charger fiara, MOSFET mpanara-maso, MOSFET vokatra nomerika, MOSFET kojakoja kely ao an-tokantrano, MOSFET elektronika mpanjifa.

WINSOK MOSFET dia mifanitsy amin'ny laharan'ny fitaovana marika hafa

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484SPAN 44.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

MOSFET masontsivana

marika famantarana

fikirana

naoty

vondrona

VDS

Volavolan'ny tatatra

40

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID@TC=25

Continuous Drain Current, VGS@10V1,7

120

A

ID@TC=100

Continuous Drain Current, VGS@10V1,7

100

A

IDM

Pulsed Drain Current2

400

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

240

mJ

IAS

Avalanche Current

31

A

PD@TC=25

Famotehana herinaratra tanteraka4

104

W

TSTG

Fitahirizana mari-pana

-55 hatramin'ny 150

TJ

Ny mari-pana amin'ny Junction miasa

-55 hatramin'ny 150

 

marika famantarana

fikirana

NATREHINAY

Min.

Typ.

Max.

Unit

BVDSS

Volontany fahatapahan'ny tatatra VGS= 0V, nyD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperature Coefficient Reference amin'ny 25, ID=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Loharanon'ny tatatra static amin'ny fanoherana2 VGS=10V, ID=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS(ON)

Loharanon'ny tatatra static amin'ny fanoherana2 VGS = 4.5 V, ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Volavolan'ny vavahady VGS=VDS, ID=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperature Coefficient

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Loharanon'ny tatatra amin'izao fotoana izao VDS=32 V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32 V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Vavahady-Source Leakage Current VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductance mandroso VDS= 5V, nyD=20A

---

55

---

S

Rg

Vavahady fanoherana VDS=0V ,VGS=0V , f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Tontalin'ny fiampangana vavahady (10V) VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID=10A

---

76

91

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

12

14.4

Qgd

Gate-Drain Charge

---

15.5

18.6

Td(on)

Fotoana fanemorana VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, ID=1A ,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Fotoana Mitsangana

---

10

12

Td(eny)

Atsaharo ny fotoana fanemorana

---

58

69

Tf

Fotoana fararano

---

34

40

Ciss

Capacitance fampidirana VDS= 20 V, VGS=0V , f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Output Capacitance

---

690

---

Crss

Fahaiza-mifindra mivadika

---

370

---


  • teo aloha:
  • Manaraka:

  • Soraty eto ny hafatrao ary alefaso aminay