WSD2090DN56 N-fantsona 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

famaritana fohy:

Laharana modely:Sary WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2,8mΩ

ID:80A

Channel:N-fantsona

Fonosana:DFN5*6-8

vokatra fahavaratra:Ny malefaka WSD2090DN56 MOSFET dia 20V, ny ankehitriny dia 80A, ny fanoherana dia 2.8mΩ, ny fantsona dia N-fantsona, ary ny fonosana dia DFN5 * 6-8.

Fampiharana:sigara elektronika, drones, fitaovana elektrika, basy fascia, PD, kojakoja kely ao an-tokantrano, sns.

Alefaso mailaka aminay PDF

Product Detail

Fampiharana

Tags vokatra

Famaritana ankapobeny

Ny WSD2090DN56 no D-Ch MOSFET avo indrindra amin'ny haavon'ny sela avo indrindra, izay manome RDSON tsara sy fiampangana vavahady ho an'ny ankamaroan'ny rindranasa mpanova buck synchronous. Ny WSD2090DN56 dia mahafeno ny fepetra RoHS sy Green Product 100% EAS azo antoka miaraka amin'ny fahatokisana tanteraka ny asa.

Toetoetra

Teknolojian'ny sela avo lenta avo lenta, fiampangana vavahady avo lenta, fihenam-bidy CdV / dt tena tsara, azo antoka 100% EAS, fitaovana maitso misy

Applications

Switch, Power System, Load Switch, sigara elektronika, drones, fitaovana elektrika, basy fascia, PD, kojakoja kely ao an-tokantrano, sns.

laharana ara-pitaovana mifanaraka amin'izany

AOS AON6572

Paramètre manan-danja

Naoty ambony indrindra (TC=25 ℃ raha tsy misy fanamarihana manokana)

marika famantarana	fikirana	Max.	vondrona
VDSS	Volavolan'ny tatatra	20	V
VGSS	Vavahady-Source Voltage	±12	V
ID@TC=25℃	Current Drain Mitohy, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Current Drain Mitohy, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Pulsed Drain Fanamarihana ankehitriny1	360	A
EAS	Single Pulsed Avalanche Energy note2	110	mJ
PD	Fanaparitahana hery	81	W
RθJA	Ny fanoherana ny hafanana, ny fihaonan'ny tranga	65	℃/W
RθJC	Junction fanoherana mafana - tranga 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Ny mari-pana miasa sy fitahirizana	-55 hatramin'ny +175	℃

Toetran'ny herinaratra (TJ=25 ℃, raha tsy misy fanamarihana manokana)

marika famantarana	fikirana	NATREHINAY	Min	Typ	Max	vondrona
BVDSS	Volontany fahatapahan'ny tatatra	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	Reference amin'ny 25 ℃, ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
VGS(th)	Volavolan'ny vavahady	VDS= VGS, ID=250μA	0.50	0.65	1.0	V
RDS(ON)	Loharanon'ny tatatra static amin'ny fanoherana	VGS=4.5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ON)	Loharanon'ny tatatra static amin'ny fanoherana	VGS=2.5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Afo Gate Voltage Drain Current	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Vavahady-Body Leakage Current	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Capacitance fampidirana	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Output Capacitance		---	460	---
Crss	Fahaiza-mifindra mivadika		---	446	---
Qg	Tontalin'ny saram-bavahady	VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.73	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.1	---
tD(on)	Ampidiro ny fotoana fanemorana	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Ampidiro ny Time Rise		---	37	---
tD(eny)	Atsaharo ny fotoana fanemorana		---	63	---
tf	Fotoana fandatsaham-bato		---	52	---
VSD	Diode Mandroso Voltage	IS=7.6A,VGS=0V	---	---	1.2	V