Ny transistor metal-oxide-semiconductor field-effect (MOSFET, MOS-FET, na MOS FET) dia karazana transistor effet field (FET), izay matetika novolavolaina tamin'ny alàlan'ny oksidana silisiôma voafehy. Izy io dia manana vavahady insulated, ny malefaka izay mamaritra ny conductivity ny fitaovana.
Ny endri-javatra lehibe indrindra dia ny fisian'ny silisiôma silisiôma insulating sosona eo anelanelan'ny vavahady metaly sy ny fantsona, noho izany dia manana fanoherana avo fampidirana (hatramin'ny 1015Ω). Izy io koa dia mizara ho fantsona N-channel sy fantsona P-channel. Matetika ny substrate (substrate) sy ny loharano S dia mifamatotra.
Araka ny fomba fampitaovana samihafa, ny MOSFET dia mizara ho karazana fanatsarana sy karazana fihenam-bidy.
Ny antsoina hoe karazana fanatsarana dia midika hoe: rehefa VGS = 0, ny fantsona dia ao anatin'ny fanjakana tapaka. Rehefa avy nampidirina ny VGS marina, ny ankamaroan'ny mpitatitra dia voasarika amin'ny vavahady, ka "manatsara" ny mpitatitra ao amin'io faritra io ary mamorona fantsona conductive. .
Ny fomba famongorana dia midika fa rehefa VGS=0 dia misy fantsona miforona. Rehefa ampiana ny VGS marina, ny ankamaroan'ny mpitatitra dia afaka mivoaka avy ao amin'ny fantsona, ka "mampihena" ny mpitatitra ary mamono ny fantsona.
Avahana ny antony: JFET ny fahan'ny fanoherana dia mihoatra ny 100MΩ, ary ny transconductance dia avo dia avo, rehefa ny vavahady no nitarika, ny anatiny toerana andriamby saha dia tena mora ny mamantatra ny miasa malefaka angona famantarana eo amin'ny vavahady, ka ny fantsona dia mirona amin'ny. ho tonga, na mirona ho on-off. Raha ampidirina avy hatrany eo amin'ny vavahady ny volavolan'ny induction amin'ny vatana, satria matanjaka ny fitsabahana elektromagnetika, dia ho manan-danja kokoa ny toe-javatra etsy ambony. Raha mivily miankavia miankavia ny fanjaitra metatra, dia midika izany fa mirona mankany amin'ny haavony ny fantsona, mitombo ny fanoherana RDS loharanon-drano, ary mihena ny IDS ny habetsahan'ny loharanon-drano. Mifanohitra amin'izany, ny fanjaitra metatra dia mivily miankavanana, izay manondro fa ny fantsona dia mirona ho on-off, ny RDS dia midina, ary ny IDS dia miakatra. Na izany aza, ny tena tari-dalana izay mivadika ny fanjaitra metatra dia tokony hiankina amin'ny tsara sy ny ratsy tsato-kazo ny induced malefaka (toro-hevitra miasa malefaka na mivadika ny lalana miasa malefaka) sy ny miasa afovoany ny fantsona.
WINSOK DFN3x3 MOSFET
Raha raisina ho ohatra ny fantsona N, dia vita amin'ny substrate silisiôma P-karazana miaraka amin'ny faritra fanaparitahana loharano roa be doped N + sy faritra fiparitahan'ny tatatra N +, ary avy eo dia mivoaka avy eo ny electrode source S sy ny electrode D. Ny loharano sy ny substrate dia mifandray anatiny, ary izy ireo dia mitazona ny fahafaha-manao mitovy foana. Rehefa mifandray amin'ny terminal tsara amin'ny famatsiana herinaratra ny tatatra ary ny loharano dia mifandray amin'ny terminal ratsy amin'ny famatsiana herinaratra ary VGS=0, ny zotra ankehitriny (izany hoe ny tatatra) ID=0. Rehefa mihamitombo tsikelikely ny VGS, voasinton'ny voltase vavahady tsara, ireo mpitatitra vitsy an'isa misy fiatraikany ratsy dia voatarika eo anelanelan'ny faritra roa miparitaka, mamorona fantsona N-karazana avy amin'ny tatatra mankany amin'ny loharano. Rehefa lehibe kokoa ny VGS noho ny VTN amin'ny fantsom-pamokarana (amin'ny ankapobeny eo amin'ny +2V), dia manomboka mitondra ny fantsona N-channel, mamorona ID ankehitriny.
VMOSFET (VMOSFET), ny anarany feno dia V-groove MOSFET. Izy io dia fitaovana fanodinana herinaratra avo lenta vao haingana taorian'ny MOSFET. Tsy vitan'ny hoe mandova ny impedance avo lenta amin'ny MOSFET (≥108W), fa koa ny kely mitondra fiara (manodidina ny 0.1μA). Izy io koa dia manana toetra tena tsara toy ny malefaka avo lenta (hatramin'ny 1200V), amin'izao fotoana izao (1.5A ~ 100A), herinaratra avo lenta (1 ~ 250W), linearity transconductance tsara, ary hafainganam-pandeha haingana. Ny tena marina dia satria manambatra ny tombony amin'ny fantsona vacuum sy transistors hery izy io, dia ampiasaina betsaka amin'ny fanamafisam-peo (mety hahatratra an'arivony ny fanamafisana ny volt), ny fanamafisam-pahefana, ny famatsiana herinaratra ary ny inverter.
Araka ny fantatsika rehetra, ny vavahady, ny loharano ary ny tatatra MOSFET nentim-paharazana dia eo amin'ny fiaramanidina mitsivalana mitovy amin'ny chip, ary mikoriana amin'ny lalana marindrano ny zotram-piasany. Ny fantsona VMOS dia hafa. Manana endri-drafitra roa lehibe izy io: voalohany, ny vavahady metaly dia mampiasa rafitra miendrika V; faharoa, manana conductivity mitsangana. Koa satria ny tatatra dia alaina avy ao ambadiky ny puce, ny ID dia tsy mikoriana mitsivalana manaraka ny puce, fa manomboka amin'ny faritra N+ doped be (loharano S) ary mikoriana mankany amin'ny faritra N-drift maivana amin'ny alàlan'ny fantsona P. Farany, mipaka mitsangana midina hidina ny tatatra D. Satria mihamitombo ny velaran'ny fikorianan'ny fikorianan'ny rano, dia afaka mandalo ny riandrano lehibe. Koa satria misy silisiôma silisiôma insulating sosona eo anelanelan'ny vavahady sy ny chip, dia mbola vavahady insulated MOSFET.
Tombontsoa amin'ny fampiasana:
MOSFET dia singa mifehy ny voly, raha ny transistor kosa dia singa voafehy ankehitriny.
MOSFETs dia tokony hampiasaina rehefa kely ny courant azo alaina avy amin'ny loharano famantarana; transistors dia tokony hampiasaina rehefa ambany ny mari-pana ny mari-pana sy ny current kokoa azo alaina avy amin'ny loharano famantarana. Ny MOSFET dia mampiasa ny ankamaroan'ny mpitatitra mitondra herinaratra, ka izany no antsoina hoe fitaovana unipolar, raha ny transistor kosa dia mampiasa ny ankamaroan'ny mpitatitra sy ny vitsy an'isa mba hitondra herinaratra, ka izany no antsoina hoe fitaovana bipolar.
Ny loharano sy ny tatatra ny MOSFET sasany dia azo ampiasaina mifandimby, ary ny vavahady volkano dia mety ho tsara na ratsy, ka mahatonga azy ireo mora kokoa noho ny triodes.
Ny MOSFET dia afaka miasa ao anatin'ny toe-javatra kely amin'izao fotoana izao sy ambany dia ambany, ary ny fizotran'ny famokarana azy dia afaka mampiditra mora foana MOSFET maro amin'ny chip silisiôma. Noho izany, MOSFET dia nampiasaina betsaka amin'ny faritra midadasika midadasika.
Olueky SOT-23N MOSFET
Ny toetra fampiharana ny MOSFET sy ny transistor
1. Ny loharano s, vavahady g, ary ny tatatra d amin'ny MOSFET dia mifanandrify amin'ny emitter e, base b, ary collector c an'ny transistor. Mitovy ny asany.
2. MOSFET dia fitaovana fehezin'ny voltora, iD dia fehezin'ny vGS, ary ny amplification coefficient gm dia kely amin'ny ankapobeny, noho izany dia mahantra ny fahafaha-manatsara ny MOSFET; ny transistor dia fitaovana mandeha amin'izao fotoana izao, ary ny iC dia fehezin'ny iB (na iE).
3. Ny vavahadin'ny MOSFET dia saika tsy misy courant (ig»0); fa ny fototry ny transistor dia misintona courant foana rehefa miasa ny transistor. Noho izany, ny vavahady fidirana fanoherana ny MOSFET dia ambony noho ny fidirana fanoherana ny transistor.
4. MOSFET dia ahitana multicarriers tafiditra amin'ny conduction; Ny transistors dia manana mpitatitra roa, multicarriers ary mpitatitra vitsy an'isa, tafiditra amin'ny conduction. Ny fifantohana amin'ireo mpitatitra vitsy an'isa dia misy fiantraikany be amin'ny toe-javatra toy ny hafanana sy ny taratra. Noho izany, MOSFETs manana mari-pana tsara kokoa sy matanjaka kokoa fanoherana taratra noho ny transistors. Ny MOSFET dia tokony hampiasaina rehefa miovaova be ny toetry ny tontolo iainana (temperature, sns.).
5. Rehefa mifandray ny vy loharano sy ny substrate ny MOSFET, ny loharano sy ny tatatra azo ampiasaina mifandimby, ary ny toetra miova kely; raha ny mpanangona sy ny mpamoaka ny triode no ampiasaina mifanakalo, ny toetra dia tena samy hafa. Hihena be ny sandan'ny β.
6. Ny fatran'ny tabataba an'ny MOSFET dia tena kely. MOSFET dia tokony hampiasaina araka izay azo atao amin'ny dingana fampidirana amin'ny faritra fanamafisam-peo ambany sy faritra izay mitaky taham-pandrenesana avo lenta.
7. Ny MOSFET sy ny transistor dia afaka mamorona faritra fanamafisam-peo isan-karazany sy fizaran-tany mifamadika, fa ny voalohany dia manana dingana famokarana tsotra ary manana tombony amin'ny fanjifana herinaratra ambany, ny fitoniana mafana tsara ary ny famatsiana herinaratra midadasika. Noho izany, dia be mpampiasa amin'ny midadasika sy tena midadasika faritra midadasika.
8. Ny transistor dia manana on-resistance lehibe, raha ny MOSFET dia manana on-resistance kely, afa-tsy zato mΩ. Amin'ny fitaovana elektrika amin'izao fotoana izao, ny MOSFET dia matetika ampiasaina ho switch, ary avo lenta ny fahombiazany.
WINSOK SOT-323 encapsulation MOSFET
MOSFET vs. Transistor Bipolar
MOSFET dia fitaovana fehezin'ny voltora, ary ny vavahady dia tsy misy courant, raha ny transistor kosa dia fitaovana fehezina amin'izao fotoana izao, ary ny fototra dia tsy maintsy maka courant. Noho izany, rehefa kely dia kely ny tombam-bidin'ny loharano famantarana, dia tokony hampiasaina MOSFET.
MOSFET dia mpitatitra maromaro, raha samy mandray anjara amin'ny fampitaovana ny mpitatitra transistor. Koa satria ny fifantohan'ny mpitatitra vitsy an'isa dia tena saro-pady amin'ny toe-javatra ivelany toy ny hafanana sy ny taratra, MOSFET dia mety kokoa amin'ny toe-javatra misy fiovana be ny tontolo iainana.
Ho fanampin'ny ampiasaina ho fitaovana fanamafisam-peo sy switch azo fehezina toy ny transistors, ny MOSFET dia azo ampiasaina koa ho toy ny resistors linear miovaova fehezin'ny voltage.
Ny loharano sy ny tatatra ny MOSFET dia symmetrical rafitra ary azo ampiasaina mifandimby. Mety ho tsara na négatif ny vavahady loharanon'ny mosfet depletion mode MOSFET. Noho izany, ny fampiasana MOSFET dia mora kokoa noho ny transistors.
Fotoana fandefasana: Oct-13-2023
